• نیمهسوپراتصال lhstj rnvj
    • Simulation study of semi-superjunction power MOSFET with SiGe pillar

      a b s t r a c t
      The feasibility of applying the semi-superjunction (Semi-SJ) with
      SiGe-pillar (SGP) concept to Power MOSFET is studied in this
      paper. The electrical performances of SGP are compared with the
      conventional Power MOSFET through 3D device simulation work in
      terms of specific-on resistance .Ron/ breakdown-voltage (BV) the
      effect to change the Ge mole fraction in the SGP and the thermal
      stabilization. The results show that the Ron is reduced by 44% on
      the base of BVs reducing only 4.8% tradeoff Ron vs. BV and thermal
      stabilization of SGP are superior to that of conventional Semi-SJ
      since the strain effect inducing into the SGP structure in the low
      power device application.a

      مطالعه­ ی شبیه­ سازی MOSFET قدرت نیمه-سوپراتصال با ستون SiGe

      چکیده

      امکان بکار بردن نیمه-سوپراتصال (Semi-Sj) با مفهوم ستون-SiGe(SGP) بر رویMOSFET قدرت در این مقاله بررسی می­شود. عملکردهای الکتریکیSGP با MOSFET قدرت با MOSFET قدرت قدیمی از طریق شبیه­سازی دستگاه ۳Dبر حسب مقاومت ویژه­ی روشن بودن ، ولتاژ شکست ، تاثیر تغییر کسر مولی Ge در SGP و پایداری حرارتی با مقایسه می­شود. نتایج نشان می­دهند که به اندازه­ی %۴۴ بر پایه­ی کاهش BVها تنها به اندازه­ی %۴.۸ کاهش می­یابد، مصالحه­ی در مقابل BV و پایداری حرارتی SGPنسبت به Semi-Sjبهتر است زیرا اثر کششیبر روی ساختار SGP در کاربرد دستگاه کم قدرت القا می­شود.

    • سایز : ۱.۹۶۴ مگا بایت
    • فرمت : doc
    • تعداد صفحات : ۱۱
  • برای مشاهده تصویر این فایل اینجا کلیک کنید.

FileHub ID : SID14591

برای ثبت امتیاز کلیک کنید
[کلی: میانگین: ]
لینک کوتاه این مطلب: https://filehub.ir/a4WqQ
<<ادامه  ترجمه مقاله مسکن و بازسازی | مشکلات و راه حلها

مدیرفایل هاب

FileHub search engine

۰ دیدگاه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

موبایلتو شارژ کن