• روشی جامع برای مدل کردن و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک پروژه کارشناسی ارشد برق فایل محتوای ۱) اصل مقاله لاتین ۱۱ صفحه IEEE 2) متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی ۳۶ صفحه مدار، معادل، مدل، مدل سازی، فتوولتاییک (PV)، شبیه سازی
    • روشی جامع برای مدل کردن و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک

      این مقاله یک روش مدل سازی و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک را اریه می دهد. هدف اصلی در اینجا، پیدا کردن پارامترهای معادلات غیرخطی I-V، با تنظیم منحنی در سه نقطه، می باشد: مدار-باز، ماکزیمم توان، اتصال کوتاه. با داشتن این سه نقطه _که توسط همه دیتاشیت های آرایه های تجاری اراایه می شوند_ مدل ارایه شده، بهترین معادلات I-V را برای مدل فتوولتاییک تک-دیود (PV)، شامل اثر مقاومت های سری و موازی، می یابد و تضمین می کند که ماکزیمم توان مدل با ماکزیمم توان آرایه ی واقعی، مطابق باشد. با داشتن پارامترهای معادلات تنظیم شده I-V، می توان یک مدل مداری PV را با یک شبیه ساز مداری _با استفاده از بلوک های ساده ریاضی_ ساخت. روش مدل کردن و مدل مداری ارایه شده، برای طراحان الکترونیک قدرتی که به یک روش مدل سازی ساده، سریع، دقیق، و آسان برای بکاربری در شبیه سازی سیستم های PV نیاز دارند، سودمند می باشد. در صفحات نخست، خواننده با وسایل PV آشنا می شود و پارامترهایی را که مربوط به مدل PV تک-دیود می شوند را درمی یابد.سپس روش مدل سازی معرفی شده و بصورت دقیق ارایه می شود. این مدل برای اطلاعات تجربی آرایه های PV تجاری، معتبر می باشد.

      اصطلاحات مربوطه__ آرایه، مدار، معادل، مدل، مدل سازی، فتوولتاییک (PV)، شبیه سازی.

      تحقیق کارشناسی ارشد برق
      فایل محتوای:
      ۱) اصل مقاله لاتین ۱۱ صفحه IEEE
      2) متن ورد شده بصورت کاملا تخصصی ۳۶ صفحه

    • سایز : ۲.۲۹۵ مگا بایت
    • فرمت : doc
    • تعداد صفحات : ۳۶
  • برای مشاهده تصویر این فایل اینجا کلیک کنید.

FileHub ID : SID1151

<<ادامه  ترجمه مقاله شبکه های طبیعی براساس کنترل هیبریدی قوی برای سیستم های رباتیک

مدیرفایل هاب

FileHub search engine

۰ دیدگاه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

50 − = 46

موبایلتو شارژ کن