• تکنولوژی CMOSنانو وایرسیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد پروژه کارشناسی ارشد برق فایل محتوای ۱) اصل مقاله لاتین ۲۰۱۰ IEEE 2) متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی
    • تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

      چکیده__ در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه ی سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.

      تحقیق کارشناسی ارشد برق
      فایل محتوای:
      ۱) اصل مقاله لاتین ۲۰۱۰ IEEE
      2) متن ورد شده بصورت کاملا تخصصی

    • سایز : ۱.۸۸ مگا بایت
    • فرمت : doc
    • تعداد صفحات : ۹
  • برای مشاهده تصویر این فایل اینجا کلیک کنید.

FileHub ID : SID1246

برای ثبت امتیاز کلیک کنید
[کلی: 0 میانگین: 0]
<<ادامه  گزارش کارآموزی برق در شركت هپكو اراک

مدیرفایل هاب

FileHub search engine

۰ دیدگاه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

موبایلتو شارژ کن